問6：16進数で表された「2C3」を10進数に変換した値として最も適切なものはどれか。
【資料】変換対象：16進数 2C3（各桁は上位から2、C、3）／16進数のCは10進数の12に対応
- A：675
- B：707
- C：691
- D：2192
【第6問：正解と解説】
正解：B
・A
【論点】基数変換（16進数→10進数）【考え方】16進数は各桁に16の累乗の重みを掛けて合計する。最上位から順に16^2、16^1、16^0の重みを持つ。C=12への読み替えを誤る、または桁の重みを取り違えると値がずれる。【選択肢解説】675は最上位桁を2×256ではなく2×16^2の計算でCを11と誤った場合などに生じる値である。
・B
【選択肢解説】正しい。2×16^2＋12×16＋3＝512＋192＋3＝707となる。
・C
【選択肢解説】691はC（=12）を11と誤り、12×16=192を176とした場合の値である。
・D
【選択肢解説】2192は各桁を10進数の位取り（100の位・10の位・1の位）で扱った誤りである。
関連過去問：2020年度 第2問（基数変換）関連
問7：動作周波数2.5GHz（=2500MHz）のCPUがあり、命令実行に要する平均クロック数（平均CPI）が4であるとき、このCPUの処理性能として最も適切なものはどれか。1命令あたり平均4クロックを要するものとする。
【資料】動作周波数：2500MHz／平均CPI（1命令あたり平均クロック数）：4
- A：10,000MIPS
- B：1,000MIPS
- C：625MIPS
- D：156MIPS
【第7問：正解と解説】
正解：C
・A
【論点】CPUの性能指標（MIPSとCPI）【考え方】MIPS（1秒あたり百万命令数）は「クロック周波数（MHz）÷平均CPI」で求められる。CPIを掛けてしまう、あるいはCPIを無視してクロック周波数をそのまま用いると値を誤る。【選択肢解説】10,000MIPSはクロック周波数にCPIを掛けてしまった誤りである。
・B
【選択肢解説】1,000MIPSはCPIを考慮せずクロック周波数を別の係数で割った値で、CPI=4と整合しない。
・C
【選択肢解説】正しい。2500MHz÷4＝625MIPSとなる。
・D
【選択肢解説】156MIPSはCPIを16と誤るなど平均クロック数を取り違えた場合の値である。
関連過去問：2017年度 第3問（CPU性能）関連
問8：記憶容量3GiB（ギビバイト）は何バイトか。最も適切なものを選べ。ただし1KiB=2^10バイト、1MiB=2^20バイト、1GiB=2^30バイトとする。
【資料】対象容量：3GiB／2進接頭語を用いる（1GiB=2^30バイト=1,073,741,824バイト）
- A：3,000,000,000バイト
- B：3,145,728バイト
- C：3,072,000,000バイト
- D：3,221,225,472バイト
【第8問：正解と解説】
正解：D
・A
【論点】記憶容量の単位（2進接頭語）【考え方】2進接頭語では1GiB=2^30=1,073,741,824バイトである。10進のギガ（10^9）と混同すると値がずれる。GiBとMiBの取り違えにも注意する。【選択肢解説】3,000,000,000バイトは1GiBを10^9バイト（10進のギガ）と誤った値である。
・B
【選択肢解説】3,145,728バイトは3MiB（3×2^20）の値で、GiBとMiBを取り違えている。
・C
【選択肢解説】3,072,000,000バイトは1GiBを1000×1024×1000など中途半端に混在させた換算による誤りである。
・D
【選択肢解説】正しい。3×2^30＝3×1,073,741,824＝3,221,225,472バイトとなる。
関連過去問：2021年度 第2問（記憶容量の単位）関連
問9：コンピュータの記憶装置とその特性に関する記述として、最も適切なものはどれか。
- A：SRAMはフリップフロップで1ビットを保持するためリフレッシュ動作が不要で、DRAMより高速だが集積度は低く、キャッシュメモリに用いられる。
- B：DRAMはコンデンサに電荷を蓄えて情報を保持し、電源を切っても記憶内容が失われない不揮発性メモリであるため主記憶に適する。
- C：フラッシュメモリは書き換え回数に制限がなく、電源を供給し続けないと記憶内容が消える揮発性メモリである。
- D：マスクROMは利用者が内容を自由に書き換えられる不揮発性メモリで、SSDの記憶素子として広く用いられている。
【第9問：正解と解説】
正解：A
・A
【論点】半導体メモリの分類（RAM/ROM、DRAM/SRAM、フラッシュ）【考え方】揮発性か不揮発性か、リフレッシュの要否、書き換え可否という観点で各メモリを整理する。DRAMは揮発性でリフレッシュが必要、SRAMは高速だが低集積、フラッシュは不揮発性だが書き換え回数に上限がある、という特性の対応関係を正確に押さえる。【選択肢解説】正しい。SRAMはフリップフロップ構成でリフレッシュ不要、DRAMより高速だが集積度は低く、キャッシュに用いられる。
・B
【選択肢解説】DRAMは揮発性メモリであり電源を切ると内容が失われるため、不揮発性とする点が誤りである。
・C
【選択肢解説】フラッシュメモリは不揮発性であり、また書き換え回数には上限がある点で記述が二重に誤っている。
・D
【選択肢解説】マスクROMは製造時に内容が固定され利用者は書き換えられず、SSDに用いられるのはNAND型フラッシュである。
関連過去問：2019年度 第3問（記憶素子）関連
問10：補助記憶装置とストレージ接続に関する記述として、最も適切なものはどれか。
- A：NAS（Network Attached Storage）はブロック単位でストレージを提供し、サーバからは内蔵ディスクと同様に扱われる専用の高速ストレージネットワークである。
- B：SAN（Storage Area Network）はサーバとストレージを専用ネットワークで接続し、ブロックレベルでのアクセスを提供する高速なストレージ専用網である。
- C：SSDは磁気ヘッドで円盤上のデータを読み書きするため、機械的な可動部を持ちHDDより衝撃に弱い。
- D：RAID0（ストライピング）は同じデータを複数ディスクに書き込む冗長構成で、耐障害性を高める目的で用いられる。
【第10問：正解と解説】
正解：B
・A
【論点】ストレージ接続方式（NAS/SAN）とSSD・RAIDの特性【考え方】NASはファイル単位・ネットワーク経由、SANはブロック単位・専用網という違いを区別する。SSDは半導体で可動部がなく衝撃に強い。RAID0は冗長性がなく速度向上が目的である点も併せて整理する。【選択肢解説】NASはファイル単位でアクセスを提供するファイルサーバ的な機器であり、ブロック単位で提供するという記述はSANの説明と取り違えている。
・B
【選択肢解説】正しい。SANはサーバとストレージを専用ネットワークで結び、ブロックレベルのアクセスを高速に提供する。
・C
【選択肢解説】SSDは半導体メモリを用い可動部を持たないため衝撃に強く、磁気ヘッドで読み書きするのはHDDである。
・D
【選択肢解説】RAID0はストライピングでデータを分散書き込みして高速化する構成で冗長性はなく、同一データを書くのはRAID1（ミラーリング）である。
関連過去問：2020年度 第6問（ストレージ）関連
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